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元件参数资料
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参数目录42470
> DMG4710SSS-13 MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8
型号:
DMG4710SSS-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMG4710SSS-13 PDF
产品变化通告
Bond Wire Change 11/Nov/2011
标准包装
2,500
系列
SiMFET
FET 型
MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
12.5 毫欧 @ 11.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1849pF @ 15V
功率 - 最大
1.54W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOP
包装
带卷 (TR)
其它名称
DMG4710SSS-13DITR
查看DMG4710SSS-13代理商
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